首页 > IC > I-1078页 >

IPD135N08N3G

供应查询
您是不是要找：IPD135N08N3GATMA1IPD135N08N3GBTMA1IPD13N03IPD13N03LIPD13N03LA
IPD135N08N3GBTMA1
Infineon Techn..
PG-TO252-3
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
深圳市同亨电子有限公司 VIP会员
电话：075523816885/18922857317(微信同号)
联系人：洪小姐
QQ询价
IPD135N08N3GATMA1
Infineon Techn..
PG-TO252-3
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
深圳市同亨电子有限公司 VIP会员
电话：075523816885/18922857317(微信同号)
联系人：洪小姐
QQ询价
IPD135N08N3G
InfineonTechno..
TO-252-3,DPa..
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
深圳市科锦电子有限公司 VIP会员
电话：18923786596
联系人：肖小姐
QQ询价
IPD135N08N3G
Infineon
DPAK-3
2023+
12300
【【原装绝对有货】】
IPD135N08N3G
英飞凌
TO-252
2023+
2000
低价格.高品质.服务好.现..
相关型号： IPD135N08N3 G IPD135N03LG IPD135N03L G IPD12N03LB G IPD12CNE8N G IPD12CN10N G

IPD135N08N3 G
PDF资料下载

IPD135N08N3 G参数：MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,500
系列：OptiMOS™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：80V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：45A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：13.5 毫欧 @ 45A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 33µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1730pF @ 40V
功率 - 最大值：79W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：PG-TO252-3

关于我们|联系我们|网站申明|网站地图
© 2010 搜电网